华澜微电子总裁骆建军华澜微的存储控制器发展之路校验仪

2018-07-31 11:05:01来源： 贤集网

2018全球存储半导体大会暨全球闪存技术峰会（简称“GSS”大会）近日在武汉光谷召开。

在本次大会SSD设计与控制器技术论坛上，华澜微电子总裁骆建军博士作了主题为“闪存控制器架构”的演讲。他从自己将近20年的从业经历入手，向现场嘉宾分享了华澜微的存储控制器发展之路。

他认为，企业在存储可靠性第一的前提下，必须有自己的积累，包括专利积累、IP积累、协议积累、经验积累，才能够做好存储控制器，得到客户信任。“这些技术基础不是靠购买和授权得到的，中国企业要进一步加强‘内功’修炼、重视技术积累。”骆建军说，“华澜微能够保持出货量持续高速增长并进入国际市场，正是建立在这一基础上。”

存储密度导向和性能导向将成为存储控制器未来发展的重点。最近几年，各国际厂商都提出了高密度的固态硬盘，如何提高存储密度是控制器发展的重大挑战。骆建军介绍，与传统HDD制造工艺发展扩展容量困难相比，SSD存储密度的提高也为数据中心等需要高密度存储发展提供了很好的解决方案。在控制器的设计要求上，除了需要驱动大量闪存颗粒带来尺寸增加外，大量芯片引脚的增加也为存储大容量小体积的发展带来了很多困难。内置RAID和SWITCH功能的控制器架构将不仅能够帮助提高密度，还将为数据稳定性提供更多保障，能够结合更适合客户应用的企业级产品特性和适应云计算大数据应用需求，推进国产产品迭代，推动中国存储企业进一步引领行业发展。

在这方面，华澜微目前已在全球发表了各种论文，拥有全球专利，具体产品实现方面，通过驱动更多闪存介质的方法将存储容量提高到2.5英寸标准9mm厚度下的单盘10TB和20TB的高密度，为全球客户提供了容量密度方面最优的选择。

此外，骆建军表示，以太网接口将会是未来SSD发展的风向标，与今天SSD需要通过其他设备交换数据相比，未来直接具有以太网接口而不是现在的SATA、SAS、PCIE接口的SSD将会直接替代NAS、普通服务器。更进一步，具有SDS（软件定义存储）功能的以太网接口SSD，配合成本越来越低的SDN（软件定义网络）的网络交换机，将会为数据中心、云服务、个人应用提供更加简单、可靠以及经济的数据服务。

在存储性能发展上，多颗DRAM和多颗闪存的组合以及上层应用系统的配合将会提供各种组合的NVDIMM，如目前各系统厂商正在使用的NVDIMM-N，未来进一步发展的NVDIMM-P技术，这些组合将为需要更高IOPS和更多复杂功能如边缘计算、人工智能算法植入提供更加有效的配合。骆建军介绍，华澜微在这一方面拥有多项专利，并通过与国际相关组织的交流，逐步形成了自身的技术积累。骆建军认为，中国企业要未雨绸缪，在技术发展初期就介入标准建设，进行专利积累。“国产厂商凭借独立创新，结合更多的国产规模性细分应用，便能与国际厂商站在同一起跑线上，赢取存储行业更加美好的未来。”

在存储关键技术的发展上，骆建军提到了在存储控制器中发展加密硬件IP的优势与机遇。作为2013年就通过国密算法认证的存储控制器企业，华澜微利用高速加密的优势在存储加密应用上保持全球出货量第一。骆建军表示，国内厂商通过掌握该技术，能够为自己打开另外一扇应用的窗口，并可打破美国AES 256加密算法芯片的禁锢、提供国产芯片基础上和存储应用的信息安全。

全球闪存峰会将于下月在美国硅谷开幕，作为峰会的组织者之一，骆建军希望将其带进中国，让国内存储企业有更多与国外同行互动交流的机会。

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